IT之家 12 月 9 日音尘，韩媒 SEDaily 当地时候本月 6 日征引音尘东谈主士的话称，三星电子此前已在旗下研发机构完成了 4XX 层第 10 代 3D V-NAND 闪存的建造，并从上月启动将该时代滚动至位于平泽 1 号工场的量产线上。

参考IT之家此前报谈，三星电子代表将在 2025 IEEE ISSCC 海外固态电路会议上先容 4XX 层 1Tb TLC NAND。该产物接纳晶圆键合时代，存储密度达 28 Gb/mm2，I/O 引脚速度达 5.6Gb/s。

韩媒觉得三星 V10 NAND 将接纳三堆栈结构。据悉该闪存在建造阶段的良率为 10%~20%，而量产的门槛是 60%。三星电子正奋勉在量产线上擢升第 10 代 V-NAND 良率，若是情况胜利将于 2025 下半年获得 PRA 量产就绪许可，最快来岁二季度末就可能插足量产阶段。

证明 TrendForce 集邦连整个据欧洲杯投注入口，三星电子在 2024 年三季度不竭蝉联第一大 NAND 闪存原厂。而除积极研发外该企业还在通过扩展先进产能以进一步融会高出地位：三星权术来岁在平泽 P4 新增每月 3~4 万片晶圆的 V9 NAND 产能；中国西安工场的制程升级使命也在推动。

发布于：山东省